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提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究

文献类型:期刊论文

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作者刘世良 ; 周圣明 ; 王银珍 ; 徐军
刊名人工晶体学报
出版日期2006
卷号35期号:5页码:988
关键词单晶 镓酸锂 提拉法 衬底
ISSN号1000-985X
其他题名Single crystal growth of LiGaO2 by Czochralski method and defects characterization
中文摘要研究了提拉法生长的镓酸锂单晶的生长习性和结晶质量。晶体表面呈乳白色且表面粗糙。通过光学显微镜、四晶X射线衍射、透射光谱和电感耦合等离子体发射光谱对样品进行了表征,结果表明,在(001)面的抛光样品上存在三种缺陷:[110]和[-110]方向的十字线、[010]方向排列的气泡包裹物以及平行于(010)面的界面,界面的产生起因于(010)晶面的滑移;晶体的结晶质量从顶部到底部逐渐下降,这是由于在生长过程中氧化锂的挥发导致熔体成分偏离化学计量比造成的。
学科主题光学材料;晶体
分类号O78
收录类别ei
语种中文
公开日期2009-09-24
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5667]  
专题上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘世良,周圣明,王银珍,等. 提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究, Single crystal growth of LiGaO2 by Czochralski method and defects characterization[J]. 人工晶体学报,2006,35(5):988, 991.
APA 刘世良,周圣明,王银珍,&徐军.(2006).提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究.人工晶体学报,35(5),988.
MLA 刘世良,et al."提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究".人工晶体学报 35.5(2006):988.

入库方式: OAI收割

来源:上海光学精密机械研究所

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