Yb：FAP晶体的生长及光谱性能
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 宋平新 ; 赵志伟 ; 徐晓东 ; 邓佩珍 ; 徐军 |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 32期号:10页码:1433 |
| 关键词 | 材料 materials Yb:FAP晶体 Yb∶FAP crystals 提拉法 Czochralski method 分凝系数 segregation coefficient 光谱特性 spectral performance |
| ISSN号 | 0258-7025 |
| 其他题名 | Growth and spectrum properties of Yb:FAP laser crystals |
| 中文摘要 | 应用中频感应提拉法生长出不同掺杂浓度的Yb：FAP激光晶体，运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪（ICP-AES）测定了Yb^3＋离子存Yb：FAP晶体中的分凝系数约为0．03。随着晶体的生长，晶体中Yb^3＋离子的轴向浓度逐渐增大。研究Yb：FAP晶体在77K和300K温度下的吸收光谱发现，振动谱的变化主要是由电子-声子近共振耦合作用引起的。系统地研究了不同Yb^3＋离子掺杂浓度Yb：FAP晶体的吸收光谱和荧光光谱。通过吸收光谱的测量计算了晶体的吸收截面。Yb：FAP晶体在904nm和982nm处存在Yb; Yb∶FAP crystals with different Yb3+ ions dopant concentrations have been grown by Czochralski method. The segregation coefficient of Yb3+ ions in Yb∶FAP crystal detected by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES) method is equal to 0.03. The axial distribution of Yb3+ concentration increases gradually with the crystal growth. Experimental results of the absorption spectra of Yb∶FAP crystals at 77 K and 300 K have been reported in the paper. There are obvious vibronic peaks in the spectra of Yb∶FAP crystal owing to the near resonance effects of electron-phonon coupling. The absorption spectra and fluorescence spectra of Yb∶FAP crystals with different doped Yb2O3 concentrations have been measured at the room temperature. The spectroscopic parameters of Yb∶FAP crystals have been calculated according to the absorption spectra. Two absorption bands are centered at 904 nm and 982 nm of Yb3+, respectively, which are suitable for InGaAs diode laser pumping. |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 分类号 | O782 |
| 收录类别 | ei |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-24 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5741]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋平新,赵志伟,徐晓东,等. Yb：FAP晶体的生长及光谱性能, Growth and spectrum properties of Yb:FAP laser crystals[J]. 中国激光,2005,32(10):1433, 1436. |
| APA | 宋平新,赵志伟,徐晓东,邓佩珍,&徐军.(2005).Yb：FAP晶体的生长及光谱性能.中国激光,32(10),1433. |
| MLA | 宋平新,et al."Yb：FAP晶体的生长及光谱性能".中国激光 32.10(2005):1433. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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