γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 彭观良 ; 庄漪 ; 邹军 ; 王银珍 ; 刘世良 ; 周国清 ; 周圣明 ; 徐军 ; 干福熹 |
| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 34期号:3页码:399 |
| 关键词 | 晶体生长 提拉法 γ-LiAlO2 LiAl1-x GaxO2 掺质 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 其他题名 | Study on the growth of pure and Ga3+ doped γ-LiAlO2 crystals |
| 中文摘要 | 由于与GaN晶格失配小(约1．4％)，γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm^3的γ-LiAlO2单晶，然后采用Ga2O3作为掺杂剂，仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0．1，0．2，0．3)晶体，并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征。结果表明LiAl1-xGaxO2(x=0，0．1，0．2，0．3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构，Ga^3+离子部分地取代Al^3+离子，发生 |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 分类号 | O771 |
| 收录类别 | ei |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-24 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5875]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭观良,庄漪,邹军,等. γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究, Study on the growth of pure and Ga3+ doped γ-LiAlO2 crystals[J]. 人工晶体学报,2005,34(3):399, 402. |
| APA | 彭观良.,庄漪.,邹军.,王银珍.,刘世良.,...&干福熹.(2005).γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究.人工晶体学报,34(3),399. |
| MLA | 彭观良,et al."γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究".人工晶体学报 34.3(2005):399. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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