r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 彭观良 ; 周国清 ; 庄漪 ; 邹军 ; 王银珍 ; 李抒智 ; 杨卫桥 ; 周圣明 ; 徐军 |
| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 34期号:4页码:653 |
| 关键词 | 温梯法 r面白宝石 位错 化学腐蚀 腐蚀坑 缺陷 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 其他题名 | Defect study of r-plane sapphire single crystal grown by temperature gradient technique |
| 中文摘要 | 本文描述使用温梯法（TGT）生长（1-↑102）方向的白宝石单晶，应用X射线双晶摇摆曲线（XRC）测定了晶体内部的完整性，再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面（1-↑102）上的位错蚀坑，借助扫描电子显微镜（SEM）进行观察，发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形，并且有台阶状结构，并分析了位错的成因。; A high quality sapphire single crystal oriented along (11 over-bar 02) was grown by the temperature gradient technique (TGT) and the crystal quality was investigated using X-ray rocking curve (XRC). The etch pits of dislocations were revealed on the r-plane (11 over-bar 02) sapphire by using a melted KOH as etchants. Scanning electron microscope (SEM) demonstrates that the shapes of etch pits located in r-plane of sapphire look like a isosceles triangle with sidestep-like structure. And the mechanism of the formation of dislocations was discussed. |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 分类号 | O771 |
| 收录类别 | ei |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-24 ; 2010-10-12 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5883]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭观良,周国清,庄漪,等. r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究, Defect study of r-plane sapphire single crystal grown by temperature gradient technique[J]. 人工晶体学报,2005,34(4):653, 656. |
| APA | 彭观良.,周国清.,庄漪.,邹军.,王银珍.,...&徐军.(2005).r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究.人工晶体学报,34(4),653. |
| MLA | 彭观良,et al."r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究".人工晶体学报 34.4(2005):653. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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