透明导电氧化物β-Ga2O3单晶生长的研究进展
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 张俊刚 ; 夏长泰 ; 吴锋 ; 裴广庆 ; 徐军 |
| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 34期号:4页码:676 |
| 关键词 | 透明导电材料 β-Ga2O3 单晶体 浮区法 衬底 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 其他题名 | Research progress in the growth of transparent conducting oxides β-Ga2O3 single crystal |
| 中文摘要 | 本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合，主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法：Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术，并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用。β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料。 |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 分类号 | O78 |
| 收录类别 | ei |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-24 ; 2010-10-12 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5887]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张俊刚,夏长泰,吴锋,等. 透明导电氧化物β-Ga2O3单晶生长的研究进展, Research progress in the growth of transparent conducting oxides β-Ga2O3 single crystal[J]. 人工晶体学报,2005,34(4):676, 681. |
| APA | 张俊刚,夏长泰,吴锋,裴广庆,&徐军.(2005).透明导电氧化物β-Ga2O3单晶生长的研究进展.人工晶体学报,34(4),676. |
| MLA | 张俊刚,et al."透明导电氧化物β-Ga2O3单晶生长的研究进展".人工晶体学报 34.4(2005):676. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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