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氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟

文献类型:期刊论文

作者姜燕妮; 陈启生
刊名工程热物理学报
出版日期2010-08-15
卷号31期号:8页码:1392-1394
通讯作者邮箱jyn2004.student@sina.com
关键词氨热法 氮化镓 开孔率 流场 平均流速
ISSN号0253-231X
其他题名NUMERICAL SIMULATION IN AMMONOTHERMAL GROWTH OF SINGLE CRYSTALS OF GaN
通讯作者姜燕妮
中文摘要氮化镓晶体是继单晶硅之后的一种新型的半导体材料. 本文利用有限体积法模拟了氨热法生长氮化镓晶体中流场的瞬态特性, 研究了隔板开孔10%时流场结构、温度场、浓度场. 发现对于隔板开孔率(10%)的情形, 中心开孔及边缘间隙的平均速度表现为振荡的特性, 中心开孔速度大多是正的, 边缘开孔大多是负的. 大的温度梯度发生在在高压釜壁面与液体的交界处与隔板周围. 物质由多孔介质区向生长区输运
收录类别EI ; CSCD
资助信息国家自然科学基金资助项目(No.50776098)
原文出处http://acad.cnki.net/Kns55/brief/result.aspx?dbPrefix=CJFQ
语种中文
CSCD记录号CSCD:3906979
公开日期2009-08-03 ; 2011-04-07
源URL[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/44048]  
专题力学研究所_国家微重力实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
姜燕妮,陈启生. 氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟[J]. 工程热物理学报,2010,31(8):1392-1394.
APA 姜燕妮,&陈启生.(2010).氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟.工程热物理学报,31(8),1392-1394.
MLA 姜燕妮,et al."氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟".工程热物理学报 31.8(2010):1392-1394.

入库方式: OAI收割

来源:力学研究所

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