提拉法Ti:LiAlO_2晶体的生长、缺陷及N_2退火研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄涛华 ; 周圣明 ; 邹军 ; 周健华 ; 林辉 ; 王军 |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 36期号:6页码:1249 |
| 关键词 | Ti:LiAlO2 化学腐蚀 N2退火 Ti: LiAlO2 chemical etching N2 annealing |
| 其他题名 | Study on the Growth,Defects and N_2 Annealing of Ti: LiAlO_2 Crystal |
| 中文摘要 | 本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0.1%原子分数的LiAlO2单晶体,借助光学显微镜,结合化学腐蚀法,对Ti:LiAlO2晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究,用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌。结果表明:Ti:LiAlO2晶体(100)面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑,位错密度约为5.0×104cm-2,900℃空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大;N2退火能显著影响晶片的表面形貌,当退火温度为900℃时,晶片的均方根粗糙度(RMS)达到最低值; 0.1at% Ti doped LiAlO2 crystal was grown by Czochralski method.The defects of Ti:LiAlO2(100) slices before and after air annealing were investigated by chemical etching and Leitz optical microscopy.The surface morphologies of Ti:LiAlO2(100) slices annealed in flowing N2 at different temperatures were observed by AFM.The results show that etch pits on(100) plane are pyramidal and the total dislocation density is about 5.0×104cm-2.The size of etch pits on Ti:LiAlO2(100) plane became larger after the slice was... |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-24 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/6017]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄涛华,周圣明,邹军,等. 提拉法Ti:LiAlO_2晶体的生长、缺陷及N_2退火研究[J]. 人工晶体学报,2007,36(6):1249, 1252. |
| APA | 黄涛华,周圣明,邹军,周健华,林辉,&王军.(2007).提拉法Ti:LiAlO_2晶体的生长、缺陷及N_2退火研究.人工晶体学报,36(6),1249. |
| MLA | 黄涛华,et al."提拉法Ti:LiAlO_2晶体的生长、缺陷及N_2退火研究".人工晶体学报 36.6(2007):1249. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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