β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张俊刚 ; 李斌 ; 夏长泰 ; 徐军 ; 邓群 ; 徐晓东 ; 吴锋 ; 徐悟生 ; 史宏生 ; 裴广庆 ; 吴永庆 |
| 刊名 | 中国科学E
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 37期号:3页码:370 |
| 关键词 | β-Ga2O3:Cr 浮区法 调谐激光晶体 光谱 |
| 中文摘要 | 利用浮区法生长得到β-Ga2O3：Cr单晶体．在室温下测试了β-Ga2O3：Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱．通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数，得到10Dq/B=23．14，表明Cr^3＋在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场β-Ga2O3：Cr单晶体经高温退火后Cr^3＋的发射明显加强，而绿光的发射减弱．采用420nm波长激发，在691nm可得到强而宽的特征发射，此发射对应于Cr^3＋的^4T2→^4A2跃迁． |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 分类号 | O78 |
| 收录类别 | 0 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-24 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/6041]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张俊刚,李斌,夏长泰,等. β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性[J]. 中国科学E,2007,37(3):370, 374. |
| APA | 张俊刚.,李斌.,夏长泰.,徐军.,邓群.,...&吴永庆.(2007).β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性.中国科学E,37(3),370. |
| MLA | 张俊刚,et al."β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性".中国科学E 37.3(2007):370. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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