射频磁控溅射法制备TiO2-xNX薄膜的结构性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冯磊 ; 罗士雨 ; 黄涛华 ; 林辉 ; 滕浩 ; 汪洪 ; 周圣明 |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 37期号:5页码:1127 |
| 关键词 | TiO2
射频磁控溅射
氮掺杂
X射线光电子能谱
Absorption edges
Crystallinity
N doping
N-doped
Preferred orientations
Red shifts
RF magnetron sputtering
Room temperatures
Si (100) substrates
Structure and properties
TiO |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 其他题名 | Study on the structure and properties of TiO |
| 中文摘要 | 利用射频磁控溅射法室温下在Si（100）衬底上制备了N掺杂的TiO2薄膜，并且采用x射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）和透射光谱对薄膜进行了表征。XRD结果表明在纯Ar和N2（33．3％）／Ar气氛下制备的TiO2-xNx薄膜均为单一的金红石相，薄膜结晶性良好，呈高度（211）择优取向，而在N2（50．0％）／Ar下制备的薄膜结晶性明显变差；对于N掺杂的TiO2薄膜，XPS表明部分N原子进入TiO2晶格，并且以N—Ti—O、N—O键以及间隙式N原子形式存在；透射光谱表明掺N后的TiO2薄膜吸收边发生了红移。; The visible light-active nitrogen-doped titanium oxide films were deposited on Si (100) substrates at room temperature by RF magnetron sputtering. The films were characterized using X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and transmission spectra. XRD reveals that the TiO |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 分类号 | O484 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-24 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/6059]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯磊,罗士雨,黄涛华,等. 射频磁控溅射法制备TiO2-xNX薄膜的结构性能研究[J]. 人工晶体学报,2008,37(5):1127, 1131. |
| APA | 冯磊.,罗士雨.,黄涛华.,林辉.,滕浩.,...&周圣明.(2008).射频磁控溅射法制备TiO2-xNX薄膜的结构性能研究.人工晶体学报,37(5),1127. |
| MLA | 冯磊,et al."射频磁控溅射法制备TiO2-xNX薄膜的结构性能研究".人工晶体学报 37.5(2008):1127. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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