β-Ga2O3 单晶NH3中氮化的研究
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 李星 ; 夏长泰 ; 何肖丽 ; 裴广庆 ; 张俊刚 ; 徐军 |
| 刊名 | Chin. Opt. Lett.
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 6期号:4页码:282 |
| 关键词 | 材料处理 Nitridation temperature 表面 光电子学 拉曼散射 光致发光 |
| ISSN号 | 1671-7694 |
| 其他题名 | Study on nitridation processes of \beta-Ga2O3 single crystal |
| 中文摘要 | 为了将β-Ga2O3单晶应用于作为外延生长优质GaN薄膜的衬底材料，本文对β-Ga2O3 (100)进行了氮化处理，并且主要讨论了氮化温度以及β-Ga2O3表面的粗糙程度对GaN形成的影响。我们发现，最理想的氮化温度在900oC。此时，在抛光的β-Ga2O3的表面上生成了一层具有六方结构并且有择优取向的GaN层。本文同时也对氮化的机理进行了讨论。; Nitridated β-Ga |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2009-09-24 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/6091]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李星,夏长泰,何肖丽,等. β-Ga2O3 单晶NH3中氮化的研究, Study on nitridation processes of \beta-Ga2O3 single crystal[J]. Chin. Opt. Lett.,2008,6(4):282, 285. |
| APA | 李星,夏长泰,何肖丽,裴广庆,张俊刚,&徐军.(2008).β-Ga2O3 单晶NH3中氮化的研究.Chin. Opt. Lett.,6(4),282. |
| MLA | 李星,et al."β-Ga2O3 单晶NH3中氮化的研究".Chin. Opt. Lett. 6.4(2008):282. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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