ZrO2／SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 邵淑英 ; 范正修 ; 邵建达 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 54期号:7页码:3312 |
| 关键词 | 残余应力 ZrO2/SiO2 multilayers SiO2 residual stress ZrO2 periods of repeating thickness 多层膜 周期数 组合 膜厚 基底材料 X射线衍射技术 玻璃基底 电子束蒸发 光学干涉仪 应力值 沉积条件 曲率半径 测量分析 石英基底 变化趋势 结构应变 结晶程度 相互作用 折射率 熔石英 压应力 微结构 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 其他题名 | Influences of the period of repeating thickness on the stress of alternative high and low refractivity ZrO2/SiO2 multilayers |
| 中文摘要 | ZrO2／SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成，通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法，研究了沉积在熔石英和BK7玻璃基底上多层膜中残余应力的变化．用ZYGO光学干涉仪测量了基底镀膜前后曲率半径的变化，并确定了薄膜中的残余应力．结果发现，该多层膜中的残余应力为压应力，随着薄膜中膜厚组合周期数的增加，压应力值逐渐减小．而且在相同条件下，石英基底上所沉积多层膜中的压应力值要小于BK7玻璃基底上所沉积多层膜中的压应力值．用X射线衍射技术测量分析了膜厚组合周; The effect of period of repeating thickness on the stress is studied in ZrO2/SiO2 multilayers deposited by electron beam evaporation on BK7 glass and fused silica substrates, separately. The results show that the residual stress in the multilayers is compressive, and with the increase of the period of repeating thickness the residual stress in multilayers decrease in both BK7 and fused silica substrates. At the same time, the residual stress in multilayers deposited on BK7 glass substrates is less than that in the samples deposited on fused silica substrates. The variation of the microstructure examined by the x-ray diffraction shows that the microscopic deformation does not correspond to the macroscopic stress, which may be due to the variation of the interface stress. |
| 学科主题 | 光学薄膜 |
| 分类号 | O484.43;TG404 |
| 收录类别 | ei |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-22 ; 2010-10-12 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4114]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵淑英,范正修,邵建达. ZrO2／SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响, Influences of the period of repeating thickness on the stress of alternative high and low refractivity ZrO2/SiO2 multilayers[J]. 物理学报,2005,54(7):3312, 3316. |
| APA | 邵淑英,范正修,&邵建达.(2005).ZrO2／SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响.物理学报,54(7),3312. |
| MLA | 邵淑英,et al."ZrO2／SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响".物理学报 54.7(2005):3312. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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