沉积参量及时效时间对SiO2薄膜残余应力的影响
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 邵淑英 ; 田光磊 ; 范正修 ; 邵建达 |
| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 25期号:1页码:126 |
| 关键词 | 薄膜光学 thin film optics SiO2薄膜 SiO2 films 残余应力 residual stress 沉积温度 deposition temperature 氧分压 oxygen partial pressure 时效 aging |
| ISSN号 | 0253-2239 |
| 其他题名 | Influences of the Deposition Parameters and Aging Time on the Residual Stress of SiO2 Films |
| 中文摘要 | SiO2薄膜由电子束蒸发方法沉积而成。用GPI数字波面光学干涉仪测量了不同沉积条件下玻璃基底镀膜前后曲率半径的变化，并确定了SiO2薄膜中的残余应力。在其他条件相同的情况下，当沉积温度由190℃升高到350℃时，SiO2薄膜中的压应力由一156MPa增大为-289MPa。氧分压由3．0×10^-3Pa升高到13．0×10^-3Pa时，SiO2薄膜中的应力由-223．5MPa变为20．4MPa。通过对薄膜折射率的测量，发现薄膜的堆积密度随沉积条件的改变也发生了规律性的变化。应力的变化主要是由于沉积时蒸发粒子; The residual stress in the SiO2 films deposited by electron beam evaporation under different conditions is measured by viewing the substrate deflection using GPI optical interferometer in different under cordition. The influences of deposition temperatures, oxygen partial pressure and aging on the The residual stress varies from -223.5 MPa to 20.4 MPa when the oxygen partial pressure increased from 3.0×10-3 Pa to 13.0×10-3 Pa, and from -150 MPa to -289 MPa when temperature increased from 190 ℃ to 350 ℃ which may be attributed to the variation of the microstructure concluding from the variation of the refractive index. An evolution of residual stress from compressive to tensile with time of sample storage in a conventional clean-room environment is measured for all evaporated SiO2 films investigated. |
| 学科主题 | 光学薄膜 |
| 分类号 | O484.4 |
| 收录类别 | ei |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-22 ; 2010-10-12 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4140]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵淑英,田光磊,范正修,等. 沉积参量及时效时间对SiO2薄膜残余应力的影响, Influences of the Deposition Parameters and Aging Time on the Residual Stress of SiO2 Films[J]. 光学学报,2005,25(1):126, 130. |
| APA | 邵淑英,田光磊,范正修,&邵建达.(2005).沉积参量及时效时间对SiO2薄膜残余应力的影响.光学学报,25(1),126. |
| MLA | 邵淑英,et al."沉积参量及时效时间对SiO2薄膜残余应力的影响".光学学报 25.1(2005):126. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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