离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 张东平 ; 齐红基 ; 邵建达 ; 范瑞瑛 ; 范正修 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 54期号:3页码:1385 |
| 关键词 | 薄膜生长 nodular defect 离子束溅射 zirconium films 微缺陷 diffusion limited aggregation model 分子动力学 生长机理 成核 分形 单层薄膜 预置 高分辨率 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 其他题名 | Mechanism of nodule growth in ion beam sputtering films |
| 中文摘要 | 用离子束溅射法制备了锆单层薄膜．用设计新型夹具和预置种子方法，对薄膜中结瘤微缺陷的生长过程进行了研究．在高分辨率光学显微镜和扫描电子显微镜下观察发现，结瘤在其生长初期呈现出分形的特征．用分子动力学和薄膜生长的扩散限制聚集模型，薄膜中结瘤微缺陷成核时的分形现象得到了很好的解释．; Zirconium single-layer films were prepared by ion beam sputtering method. By using a novel designed substrate holder in pre-planting seeds method, the growth process of the nodular defects in thin films was studied. With the help of high resolution optical microscopy and electron scanning microcopy, the phenomenon that the nodules nucleation exhibits fractal characters in their initial growth period was observed. By using the molecular dynamics theory and diffusion limited aggregation model of film growth, the fractal phenomenon of the nodule nucleation was well explained. |
| 学科主题 | 光学薄膜 |
| 分类号 | O484;TN304 |
| 收录类别 | ei |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-22 ; 2010-10-12 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4156]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张东平,齐红基,邵建达,等. 离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理, Mechanism of nodule growth in ion beam sputtering films[J]. 物理学报,2005,54(3):1385, 1389. |
| APA | 张东平,齐红基,邵建达,范瑞瑛,&范正修.(2005).离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理.物理学报,54(3),1385. |
| MLA | 张东平,et al."离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理".物理学报 54.3(2005):1385. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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