中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的设计及误差分析

文献类型:期刊论文

作者谭天亚 ; 黄建兵 ; 占美琼 ; 邵建达 ; 范正修
刊名中国激光
出版日期2006
卷号33期号:2页码:242
关键词薄膜 增透膜 二倍频 矢量合成法 LBO晶体 误差分析 过渡层
ISSN号0258-7025
其他题名Design and error analysis of 1064 nm, 532 nm frequency-doubled antireflection coating for LBO
中文摘要采用矢量合成法设计了LiB3O5(LBO)晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜,在1064nm处的反射率为0.0014%,532nm处的反射率为0.0004%。根据误差分析,薄膜制备时沉积速率精度控制在+6.5%时,1064nm处的反射率增加至0.22%,532nm处增加至0.87%。材料折射率的变化控制在+3%时,1064nm处的反射率达0.24%,532nm处达0.22%。沉积速率和折射率控制的负变化不增大特定波长处的剩余反射率。与膜层折射率相比,薄膜物理厚度对剩余反射率的影响小。低折射率膜层的
学科主题光学薄膜
分类号O484
收录类别ei
语种中文
公开日期2009-09-22
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4204]  
专题上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
谭天亚,黄建兵,占美琼,等. LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的设计及误差分析[J]. 中国激光,2006,33(2):242, 247.
APA 谭天亚,黄建兵,占美琼,邵建达,&范正修.(2006).LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的设计及误差分析.中国激光,33(2),242.
MLA 谭天亚,et al."LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的设计及误差分析".中国激光 33.2(2006):242.

入库方式: OAI收割

来源:上海光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。