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电子束蒸发制备平板偏振膜激光损伤特性研究

文献类型:期刊论文

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作者毕军 ; 黄建兵 ; 占美琼 ; 张伟丽 ; 易葵
刊名中国激光
出版日期2006
卷号33期号:6页码:837
关键词薄膜 平板偏振膜 损伤阈值 电子束蒸发
ISSN号0258-7025
其他题名Laser-induced damage of flat polarizer prepared by electron beam evaporation
中文摘要采用电子束蒸发沉积技术制备了平板偏振膜。用Lambda900分光光度计测试了其光学性能。在中心波长1053nm处P偏振光的透过率Tp〉98%,S偏振光的透过率Ts〈0.5%,消光比T,/瓦〉200:1,带宽约为20nm。用波长1064nm,脉宽12ns的脉冲激光进行损伤阈值测试,获得P偏振光的损伤阈值为17.2J/cm^2,S偏振光的损伤阈值为19.6J/cm^2。用Nomarski显微镜对薄膜的损伤形貌进行观察,并用Alpha-500型台阶仪对损伤深度进行测试。结果表明,P偏振光的激光损伤为界面损伤与缺
学科主题光学薄膜
分类号TN244;O484.4
收录类别ei
语种中文
公开日期2009-09-22
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4298]  
专题上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
毕军,黄建兵,占美琼,等. 电子束蒸发制备平板偏振膜激光损伤特性研究, Laser-induced damage of flat polarizer prepared by electron beam evaporation[J]. 中国激光,2006,33(6):837, 841.
APA 毕军,黄建兵,占美琼,张伟丽,&易葵.(2006).电子束蒸发制备平板偏振膜激光损伤特性研究.中国激光,33(6),837.
MLA 毕军,et al."电子束蒸发制备平板偏振膜激光损伤特性研究".中国激光 33.6(2006):837.

入库方式: OAI收割

来源:上海光学精密机械研究所

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