宽禁带氧化锌半导体薄膜的研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 洪瑞金 ; 贺洪波 ; 邵建达 ; 范正修 |
| 刊名 | 激光与光电子学进展
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 42期号:2页码:41 |
| 关键词 | 宽禁带 半导体薄膜 氧化锌薄膜 化合物半导体 发光器件 禁带宽度 紫外光 波长 对应 蓝光 zinc oxide functional thin films UV emission |
| ISSN号 | 1006-4125 |
| 其他题名 | Development of Wide-Gap Zinc Oxide Semiconductor Thin Films |
| 中文摘要 | 氧化锌作为新一代化合物半导体，其禁带宽度对应紫外光的波长。氧化锌薄膜有望开发蓝光、蓝绿光、紫外光等多种发光器件，具有广阔的应用前景。重点介绍了氧化锌薄膜的研究进展以及存在的问题，并对氧化锌薄膜的未来进行了展望。; As a new generation of compound semiconductor, zinc oxide has widegap. Zinc oxide thin film is a promising candidate for light emission devices for blue, blue-green, and UV regions. This paper presents the research progress, the existing problems and the prospects of zinc oxide functional thin films. |
| 学科主题 | 光学薄膜 |
| 分类号 | TN304;O484 |
| 收录类别 | 0 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-22 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4370]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 洪瑞金,贺洪波,邵建达,等. 宽禁带氧化锌半导体薄膜的研究进展[J]. 激光与光电子学进展,2005,42(2):41, 44,37. |
| APA | 洪瑞金,贺洪波,邵建达,&范正修.(2005).宽禁带氧化锌半导体薄膜的研究进展.激光与光电子学进展,42(2),41. |
| MLA | 洪瑞金,et al."宽禁带氧化锌半导体薄膜的研究进展".激光与光电子学进展 42.2(2005):41. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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