不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张东平 ; 邵淑英 ; 黄建兵 ; 占美琼 ; 范正修 ; 邵建达 |
| 刊名 | 光电工程
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 33期号:6页码:37 |
| 关键词 | 氧化锆薄膜 氧分压 表面迁移率 薄膜特性 |
| ISSN号 | 1003-501X |
| 中文摘要 | 在不同的氧分压下用电子柬热蒸发的方法制备了氧化锆薄膜。用扫描探针显微镜、X射线衍射仪和分光光度计分别对薄膜的表面粗糙度、微结构和透射谱等特性进行了表征。实验发现，薄膜沉积中氧分压与薄膜性质及微结构有密切的关系。当氧分压由3．0×10^-3Pa升高到11×10^-3Pa，薄膜的表面粗糙度由3．012nm降低到1．562nm，而薄膜的折射率由2．06降低到2．01。此外，X射线的衍射还发现，薄膜是以四方相为主多相共存的，随着氧分压的增加，特征衍射峰强度逐渐减弱，最后完全变成非晶。 |
| 学科主题 | 光学薄膜 |
| 分类号 | O484.1 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-22 ; 2010-10-12 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4380]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张东平,邵淑英,黄建兵,等. 不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性[J]. 光电工程,2006,33(6):37. |
| APA | 张东平,邵淑英,黄建兵,占美琼,范正修,&邵建达.(2006).不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性.光电工程,33(6),37. |
| MLA | 张东平,et al."不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性".光电工程 33.6(2006):37. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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