氧等离子体处理对氧化锆薄膜性质的影响
文献类型:期刊论文
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作者 | 张东平 ; 张大伟 ; 范树海 ; 赵元安 ; 邵建达 ; 范正修 |
刊名 | 光学技术
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出版日期 | 2005 |
卷号 | 31期号:2页码:224 |
关键词 | 薄膜 氧等离子体 氧化锆 |
ISSN号 | 1002-1582 |
其他题名 | Effect of the treatment by oxygen plasma on properties of ZrO2 thin film |
中文摘要 | 用低能氧等离子体对电子束热蒸发后的沉积氧化锆薄膜进行了后处理。通过对其光学性质、缺陷密度、弱吸收及抗激光辐照等性质的研究后发现,经氧等离子体处理后的氧化锆薄膜的折射率、消光系数、缺陷密度及吸收率等均有所降低,薄膜的激光损伤阈值较未处理的样品有了较大的提高。分析探讨了氧等离子体处理技术对薄膜性质的影响。 |
学科主题 | 光学薄膜 |
分类号 | O484.41 |
收录类别 | ei |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2009-09-22 ; 2010-10-12 |
源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4388] ![]() |
专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张东平,张大伟,范树海,等. 氧等离子体处理对氧化锆薄膜性质的影响, Effect of the treatment by oxygen plasma on properties of ZrO2 thin film[J]. 光学技术,2005,31(2):224, 226. |
APA | 张东平,张大伟,范树海,赵元安,邵建达,&范正修.(2005).氧等离子体处理对氧化锆薄膜性质的影响.光学技术,31(2),224. |
MLA | 张东平,et al."氧等离子体处理对氧化锆薄膜性质的影响".光学技术 31.2(2005):224. |
入库方式: OAI收割
来源:上海光学精密机械研究所
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