光刻机系统中193nm薄膜的研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尚淑珍 ; 易葵 ; 邵建达 ; 范正修 |
| 刊名 | 激光与光电子学进展
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 43期号:1页码:11 |
| 关键词 | 光刻 193nm 光学薄膜 准分子激光光刻 光刻机系 |
| ISSN号 | 1006-4125 |
| 中文摘要 | 193nm的ArF准分子激光光刻可将特征线宽推进到0．10μm。重点介绍了193nm薄膜的研究进展及影响薄膜性能的主要因素，并对具体的研究方向进行了总结。 |
| 学科主题 | 光学薄膜 |
| 分类号 | TN305.7 |
| 收录类别 | 0 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-22 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4430]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尚淑珍,易葵,邵建达,等. 光刻机系统中193nm薄膜的研究进展[J]. 激光与光电子学进展,2006,43(1):11, 14. |
| APA | 尚淑珍,易葵,邵建达,&范正修.(2006).光刻机系统中193nm薄膜的研究进展.激光与光电子学进展,43(1),11. |
| MLA | 尚淑珍,et al."光刻机系统中193nm薄膜的研究进展".激光与光电子学进展 43.1(2006):11. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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