基于平板夹具的电子束蒸发沉积薄膜中的挖坑效应分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 夏志林 ; 赵元安 ; 黄才华 ; 薛亦渝 ; 杨芳芳 ; 郭培涛 |
| 刊名 | 真空
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 45期号:6页码:12 |
| 其他题名 | Discussion on digging effect on thin flims deposited by electron beam evaporation withsubstrate held by plate jig |
| 中文摘要 | 电阻加热具有比较好的加热均匀性,可以认为对于非升华性材料,具有比较理想的平面源发射特性n=1。而电子束加热时,通常n=2~3,甚至可以为6,发射特性参数的范围大,没有取值指导理论或规律,具有很大的不确定性,这对分析薄膜均匀性非常不利。采用细分蒸发源为无数个小的面蒸发源的思想,建立了镀膜材料出现挖坑效应时薄膜厚度均匀性的分析模型。分析结果表明电子束蒸发方法很难获得理想的平面蒸发源,不同程度的挖坑效应将使得n值不同程度地偏离n=1,挖坑效应越明显,n值越大。可以从镀膜机结构设计及薄膜沉积工艺选取两方面着手,降低挖坑效应带来的影响。该研究对认识蒸发源材料发射特性的物理含义具有重要意义,对实验工作同样具有指导性意义。 |
| 学科主题 | 光学薄膜 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-22 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4644]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏志林,赵元安,黄才华,等. 基于平板夹具的电子束蒸发沉积薄膜中的挖坑效应分析[J]. 真空,2008,45(6):12, 16. |
| APA | 夏志林,赵元安,黄才华,薛亦渝,杨芳芳,&郭培涛.(2008).基于平板夹具的电子束蒸发沉积薄膜中的挖坑效应分析.真空,45(6),12. |
| MLA | 夏志林,et al."基于平板夹具的电子束蒸发沉积薄膜中的挖坑效应分析".真空 45.6(2008):12. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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