基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曾维强 ; 姚建可 ; 贺洪波 ; 邵建达 |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 35期号:12页码:2031 |
| 关键词 | 薄膜 ITO透明导电膜 基底温度 直流磁控溅射 Crystal grain sizes Direct current magnetron sputtering Direct currents Glass substrates Indium oxides Interplanar spacings ITO transparent conductive thin films Mass fractions Substrate temperature X-ray diffractions |
| ISSN号 | 0258-7025 |
| 其他题名 | Influence of substrate temperature on the properties of tin-doped indium oxide thin films prepared by direct current magnetron sputtering |
| 中文摘要 | 用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2)=9∶1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析。计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质。实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200℃)能在保证薄膜85%以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值。薄膜的结晶度随着基底温度的提高而提高。; Tin-doped indium oxide (ITO) thin films were deposited on glass substrates by direct current (DC) magnetron sputtering, using an ITO target with a combination of 90% In |
| 学科主题 | 光学薄膜 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-22 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4652]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾维强,姚建可,贺洪波,等. 基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响[J]. 中国激光,2008,35(12):2031, 2035. |
| APA | 曾维强,姚建可,贺洪波,&邵建达.(2008).基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响.中国激光,35(12),2031. |
| MLA | 曾维强,et al."基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响".中国激光 35.12(2008):2031. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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