沉积温度对氧化钇稳定氧化锆薄膜残余应力的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 肖祁陵 ; 贺洪波 ; 邵淑英 ; 邵建达 ; 范正修 |
| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 28期号:5页码:1007 |
| 关键词 | 薄膜光学 残余应力 氧化钇稳定氧化锆薄膜 沉积温度 Deposition temperature Residual stress Thin film optics Yttria-stabilized zirconia thin films Yttrial-stabilized zirconia films |
| ISSN号 | 0253-2239 |
| 其他题名 | Influence of deposition temperature on residual stress of yttria-stabilized zirconia thin films |
| 中文摘要 | 采用自制掺摩尔分数12%的Y2O3的ZrO2混合颗粒料为原料,在不同的沉积温度下用电子束蒸发方法沉积氧化钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜样品。利用ZYGOMarkⅢ-GPI数字波面干涉仪对氧化钇稳定氧化锆薄膜的残余应力进行了研究,讨论了沉积温度对残余应力的影响。实验结果表明:随沉积温度升高,氧化钇稳定氧化锆薄膜中残余应力状态由张应力变为压应力,且压应力值随着沉积温度升高而增大;用X射线衍射仪表征了不同沉积温度下氧化钇稳定氧化锆薄膜的微观结构,探讨了薄膜微观结构与其应力的对应关系,并对比了纯ZrO2薄膜表现出的应力状态。; Yttria-stabilized zirconia (YSZ) films have been prepared by electron beam evaporation at different deposition temperatures with the starting material made of 12% (mole fraction) Y |
| 学科主题 | 光学薄膜 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-22 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4734]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖祁陵,贺洪波,邵淑英,等. 沉积温度对氧化钇稳定氧化锆薄膜残余应力的影响[J]. 光学学报,2008,28(5):1007, 1011. |
| APA | 肖祁陵,贺洪波,邵淑英,邵建达,&范正修.(2008).沉积温度对氧化钇稳定氧化锆薄膜残余应力的影响.光学学报,28(5),1007. |
| MLA | 肖祁陵,et al."沉积温度对氧化钇稳定氧化锆薄膜残余应力的影响".光学学报 28.5(2008):1007. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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