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Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on γ-LiAlO2 (3 0 2) substrates by MOCVD

文献类型:期刊论文

作者Tingting Jia ; Shengming Zhou ; Hao Teng ; Hui Lin ; Jun Wang ; Jianqi Liu ; Yongxin Qiu ; Jun Huang ; Kai Huang ; Feng Bao ; Ke Xu
刊名Applied Surface Science
出版日期2010
卷号4期号:257页码:1181-1184
合作状况其它
收录类别其他
语种中文
公开日期2011-03-30
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/7056]  
专题上海光学精密机械研究所_中科院强激光材料重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Tingting Jia,Shengming Zhou,Hao Teng,et al. Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on γ-LiAlO2 (3 0 2) substrates by MOCVD[J]. Applied Surface Science,2010,4(257):1181-1184.
APA Tingting Jia.,Shengming Zhou.,Hao Teng.,Hui Lin.,Jun Wang.,...&Ke Xu.(2010).Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on γ-LiAlO2 (3 0 2) substrates by MOCVD.Applied Surface Science,4(257),1181-1184.
MLA Tingting Jia,et al."Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on γ-LiAlO2 (3 0 2) substrates by MOCVD".Applied Surface Science 4.257(2010):1181-1184.

入库方式: OAI收割

来源:上海光学精密机械研究所

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