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齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用

文献类型:期刊论文

作者杨宝麟 ; 田洪坤 ; 宋德 ; 闫东航 ; 耿延候 ; 王佛松
刊名分子科学学报
出版日期2009
卷号25期号:3页码:153-157
关键词[3 2-b]并二噻吩 有机半导体 有机薄膜晶体管
ISSN号1000-9035
通讯作者耿延候
中文摘要通过Stille偶联反应合成了5,5″-二辛基-2,2′∶5′2″-三联[3,2-b]并二噻吩,并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征.以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管,并对薄膜生长基底温度做了优化,发现基底温度为100℃时器件性能最好,迁移率达到0.13 cm2/V.s,开关比为7×103,阈值电压为-19V.
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2010-05-04 ; 2011-06-09
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/11461]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
杨宝麟,田洪坤,宋德,等. 齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用[J]. 分子科学学报,2009,25(3):153-157.
APA 杨宝麟,田洪坤,宋德,闫东航,耿延候,&王佛松.(2009).齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用.分子科学学报,25(3),153-157.
MLA 杨宝麟,et al."齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用".分子科学学报 25.3(2009):153-157.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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