同轴谐振腔高阶模场分布对称性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 曹静 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2008-05-22 |
| 授予单位 | 中国科学院电子学研究所 |
| 授予地点 | 电子学研究所 |
| 导师 | 丁耀根 |
| 关键词 | 多注速调管 高阶模TM310模 同轴谐振腔 场分布对称性 外观品质因数 |
| 其他题名 | Research on uniformity of field distribution of high order mode |
| 中文摘要 | 本论文主要研究了电感调谐圆柱形同轴谐振腔中高阶横磁模式TM310模的场分布及其对称性的变化规律。 推导了不规则圆周边界的同轴谐振腔中高阶模TMS10模式的谐振频率和特性阻抗相对值的计算公式，并得出了调谐膜片进行调谐时腔内TMS10模式场分布对称性的变化情况。 研究了无栅间隙双重入同轴谐振腔中高阶模TM310模的场分布情况，分析并获得了电感调谐对无栅间隙双重入同轴谐振腔中TM310模式的场分布的影响规律。 研究了由同轴谐振腔与波导终端孔耦合构成的多注速调管输出回路，对输出腔耦合孔过大引起TM310模式场分布不对称的现象进行了理论分析，并借助三维电磁场计算软件，得到既可以调节输出腔的外观品质因数，又可以保证TM310模式场分布对称的方法。 本论文还分析了一个实用的圆柱形同轴谐振腔钎焊前后谐振频率变化较大的原因，设计了该结构圆柱形同轴谐振腔的新冷测方法，消除了谐振腔钎焊前后的频率不一致性，并得到实验验证。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-19 |
| 页码 | 66 |
| 源URL | [http://ir.ie.ac.cn/handle/80137/8107]  |
| 专题 | 电子学研究所_电子所博硕士学位论文_电子所博硕士学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹静. 同轴谐振腔高阶模场分布对称性研究[D]. 电子学研究所. 中国科学院电子学研究所. 2008. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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