超短激光脉冲触发GaAs体开关的三维瞬态分析
文献类型：学位论文
| 作者 | 马俊 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1994 |
| 授予单位 | 中国科学院电子学研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院电子学研究所 |
| 导师 | 郭开周 |
| 关键词 | 体光导开关 三维全波场 瞬态场 载流子复合动力学 |
| 其他题名 | Three Dimensional Tranisent Analysis of GaAs Bulk PCSS |
| 学位专业 | 物理电子学与光电子学(Physics Electron and optical electron) |
| 中文摘要 | 本文对GaAs材料，根据有关陷肼模型、复合产生模型、光吸收模型及迁移率模型等一系列 模型，建立了适合体开关的三维载流子复合动力学数学模型。在涉及电磁场的瞬态数值分析方面，本文采用了时域有限差分法，超吸收边界条件，完成了对半导体体开关的三维全波分析。目前关于高功率光导开关已有大量研究，由于需要庞大的激光系统，离实际应用还有一段距离。本文提出的最佳设计方案，可使激光能量降低半到一个数量级。降低激光能量，不仅可疑降低对激光器本身的要求，而且还可以提高光导开关工作的重复率，对推进与功率光导开关相联系的系统的实际应用是有意义的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-19 |
| 页码 | 69 |
| 源URL | [http://ir.ie.ac.cn/handle/80137/9415]  |
| 专题 | 电子学研究所_电子所博硕士学位论文_电子所博硕士学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马俊. 超短激光脉冲触发GaAs体开关的三维瞬态分析[D]. 中国科学院电子学研究所. 中国科学院电子学研究所. 1994. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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