一种基于新型缺陷地结构的宽带微带耦合器
文献类型：专利
| 作者 | 刘开雨 ; 李 超 ; 李 芳 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开基于缺陷地结构的宽带微带耦合器包括：缺陷地结构、微带结构信号层和端口，其中缺陷地结构包括：接地层、开口环和交指线；根据耦合器的技术指标耦合系数C、各端口的特性阻抗Z0、中心频率fc、以及微带基板的参数(εr，h)确定缺陷接地结构的f0和f1，使得f0＜fc＜f1，且见式Ⅰ，根据带宽要求选取f1/f0的值；根据f0、f1和(εr，h)确定缺陷接地结构的尺寸。利用仿真软件计算耦合微带线的宽度W和间距d以及长度P，再经过优化以满足设计要求。与传统的平行耦合线定向耦合器相比，加载交指线的开口环缺陷接地结 |
| 公开日期 | 2008-11-19 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2007-05-16 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200710099286.3 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://ir.ie.ac.cn/handle/80137/5447]  |
| 专题 | 电子学研究所_高功率微波与电磁辐射院重点实验室_高功率微波与电磁辐射院重点实验室_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘开雨,李 超,李 芳 . 一种基于新型缺陷地结构的宽带微带耦合器. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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