Lyot晶体型消偏器设计判据的频域分析
文献类型:期刊论文
作者 | 阴亚芳 ; 方强 ; 刘继红 ; 刘毓 ; 王军利 |
刊名 | 半导体光电
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出版日期 | 2005 |
期号 | 3页码:180-182 |
关键词 | 消偏器 设计判据 偏振度 偏振光干涉 |
ISSN号 | 1001-5868 |
中文摘要 | 运用琼斯矢量及偏振光干涉的原理,从频域的角度分析Lyot晶体型消偏器的性能,得到消偏器的设计判据:第一个晶体的厚度等于真空中光源的相干长度比晶体的双折射率。并将结论和时域的设计判据进行比较,得到与相关文献一致的结论。这种分析方法对于多纵模光源消偏器的设计有参考意义。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-06-30 |
源URL | [http://210.72.145.45/handle/361003/2342] ![]() |
专题 | 国家授时中心_高精度时间传递与精密测定轨研究室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 阴亚芳,方强,刘继红,等. Lyot晶体型消偏器设计判据的频域分析[J]. 半导体光电,2005(3):180-182. |
APA | 阴亚芳,方强,刘继红,刘毓,&王军利.(2005).Lyot晶体型消偏器设计判据的频域分析.半导体光电(3),180-182. |
MLA | 阴亚芳,et al."Lyot晶体型消偏器设计判据的频域分析".半导体光电 .3(2005):180-182. |
入库方式: OAI收割
来源:国家授时中心
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