射频磁控溅射法制备ZnO压电薄膜及其性能分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 汤亮 ; 郝震宏 ; 齐敏 |
| 刊名 | 声学技术
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| 出版日期 | 2010 |
| ISSN号 | 1000-3630 |
| 其他题名 | Characterization of ZnO Piezoelectric Film Deposited by RF Magnetron Sputtering Method |
| 通讯作者 | 汤亮 |
| 中文摘要 | 采用射频磁控溅射法制备了ZnO压电薄膜，并在双面抛光的熔融石英基片上制备了高次谐波体声波谐振器进行性能验证。X射线衍射结果显示ZnO压电薄膜C轴择优取向明显，衍射峰半高宽为0．18°，显示出较好的结晶质量。高次谐波体声波谐振器的电学测试结果显示器件具有很好的多模谐振特性，说明ZnO压电薄膜很好地激发出了厚度方向的纵声波。通过拟合实测输入阻抗曲线得到ZnO压电薄膜在1.4095GHz时的介电常数约为8．2，介电损耗因子为0．017，说明采用射频磁控溅射方法制备的ZnO压电薄膜性能优良。 |
| 收录类别 | 其他 |
| 资助信息 | 声学所 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-11-25 |
| 源URL | [http://159.226.59.140:8080/handle/311008/1668]  |
| 专题 | 声学研究所_超声物理与探测实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汤亮,郝震宏,齐敏. 射频磁控溅射法制备ZnO压电薄膜及其性能分析[J]. 声学技术,2010. |
| APA | 汤亮,郝震宏,&齐敏.(2010).射频磁控溅射法制备ZnO压电薄膜及其性能分析.声学技术. |
| MLA | 汤亮,et al."射频磁控溅射法制备ZnO压电薄膜及其性能分析".声学技术 (2010). |
入库方式： OAI收割
来源：声学研究所
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