偏置电压对硅微电容超声换能器频率的影响分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郝震宏 ; 汤亮 ; 乔东海 |
| 刊名 | 声学技术
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 29期号:4 |
| ISSN号 | 1000-3630 |
| 其他题名 | Analysis of the Resonant Frequency of Capactive Micro-Machined Ultrasonic Transducer(cMUT)with DC Voltage |
| 通讯作者 | 郝震宏 |
| 中文摘要 | 本文运用有限元方法计算了硅微电容式超声换能器(cMUT)的谐振频率，并考虑了实际换能器工作需要施加直流偏置电压的情况，分别计算了有偏置电压时不同厚度振动膜的谐振频率，分析偏置电压对硅微电容超声换能器谐振频率的影响。 |
| 收录类别 | 其他 |
| 资助信息 | 声学所 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-11-25 |
| 源URL | [http://159.226.59.140:8080/handle/311008/1670]  |
| 专题 | 声学研究所_超声物理与探测实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郝震宏,汤亮,乔东海. 偏置电压对硅微电容超声换能器频率的影响分析[J]. 声学技术,2010,29(4). |
| APA | 郝震宏,汤亮,&乔东海.(2010).偏置电压对硅微电容超声换能器频率的影响分析.声学技术,29(4). |
| MLA | 郝震宏,et al."偏置电压对硅微电容超声换能器频率的影响分析".声学技术 29.4(2010). |
入库方式： OAI收割
来源：声学研究所
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