超高速FET芯片内嵌存储器设计及全芯片验证
文献类型：学位论文
| 作者 | 仇静 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2000 |
| 授予单位 | 中国科学院声学研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院声学研究所 |
| 关键词 | 嵌入式存储器 双口SRAM 动态仿真 低功耗设计 设计规则 检查DRC 版图与网表对照LVS 参数提取PEX |
| 中文摘要 | 随着半导体技术的不断发展，单芯片系统（SoC）已成为当今芯片设计的发展趋势。我们在FFT芯片中内嵌了1Kx42位SRAM和256x32位ROM，使该芯片初步具备了SoC的特征，为单芯片系统设计做了有益的探索。另外，由于芯片规模越来越大，芯片的验证逐渐成为芯片设计流程中的难点之一。本文系统地研究了FFT芯片内嵌存储器部分的设计及验证和FFT芯片的全芯片后端验证过程。文章中首先回顾了芯片中所用的FFT算法，并给出FFT芯片的性能指标、系统结构和框图。在第二章中简要地介绍了CMOS电学特性及MOS管的二级效应。第三章中集中讨论了FFT芯片中SRAM的设计，包括电路结构设计和版图级优化设计。第四章中介绍SRAM电路的仿真，包括故障模型、测试向量及SRAM自测试等内容。第五章中讨论了FFT芯片中ROM电路的设计原理、版图设计、ROM版图编译器设计和动态仿真等问题。第六章中研究了低功耗设计问题，并给出了低功耗设计在FFT芯片存储器部分的设计中的应用。最后，本文讨论了FFT芯片的后端验证，主要包括后端验证的流程、设计规则检查(DRC)、版图与上层网表对照（LVS）和参数提取（PEX）等内容。 |
| 英文摘要 | With the developing of semi-conductor technology, system on a chip (SoC) has become the main trend in integrated circuit design. The FFT chip is designed with a 1K*42 bit SRAM and a 256*32 bit ROM embedded. It was a helpful experiment for SoC designs. For the size of integrated circuit growing larger and larger, the difficulty of the verification of the chip also increases greatly. This paper systematically investigated the design of the embedded memory and the full flow of the whole chip back-end verification. Firstly we reviewed the fft arithmetic used in this FFT chip. Then the performance target, the system structure and system frame was demonstrated. In chapter II we introduced the electricity characteristic of CMOS and the second effect of MOS transistor briefly. In chapter III we discussed the design of SRAM including circuit design and layout design. The simulation of SRAM was presented in chapter IV. In chapter V the ROM circuit design, ROM layout design, ROM creator program and ROM simulation was discussed. Chapter VI focuses on the low power design issues and put forward the method used in embedded memory design. Finally we investigated the back-end verification of the whole chip. This part covered these issues: the verification flow, the design rule check, layout vs. schematic and parasitic extraction etc. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-05-07 |
| 页码 | 54 |
| 源URL | [http://159.226.59.140/handle/311008/694]  |
| 专题 | 声学研究所_声学所博硕士学位论文_1981-2009博硕士学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇静. 超高速FET芯片内嵌存储器设计及全芯片验证[D]. 中国科学院声学研究所. 中国科学院声学研究所. 2000. |
入库方式： OAI收割
来源：声学研究所
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