基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张建恩 ; 华斯亮 ; 王东辉 |
| 刊名 | 微计算机应用
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 31期号:4 |
| ISSN号 | 1003-1944 |
| 其他题名 | A Bipolar Mixer for Low Frequency Receiver Using V-NPN Transistors in Deep N-well CMOS Technology |
| 通讯作者 | 4 |
| 中文摘要 | 随着声纳通信技术的发展,需要使用CMOS工艺设计用于声纳通信接收机中的低噪声低频混频器.由于MOSFETs的闪烁噪声拐角频率通常在几MHz,在低频工作时会有非常大的闪烁噪声.这使得用MOSFETs设计的传统CMOS有源混频器,在低频低噪声系统中不能使用.本文提出了使用深N阱CMOS工艺中的垂直寄生NPN晶体管(V-NPN)设计的双极型有源混频器.该垂直寄生NPN晶体管的闪烁噪声拐角频率通常为几KHz,因此可以用来设计低噪声低频混频器.本文使用0.18μm CMOS工艺中的V-NPN晶体管设计了一个双极型有源混频器.仿真结果显示,工作电压为3.3V,LO频率为50KHz,RF频率为40KHz时,该双极型有源混频器的电压增益为18.3dB,NFdsb为15.99dB,等效输出噪声,P1dB为-9.88dBm,IIP3为-1.65dBm. |
| 收录类别 | 其他 |
| 资助信息 | 声学所 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-11-25 |
| 源URL | [http://159.226.59.140:8080/handle/311008/1657]  |
| 专题 | 声学研究所_数字系统集成实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张建恩,华斯亮,王东辉. 基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器[J]. 微计算机应用,2010,31(4). |
| APA | 张建恩,华斯亮,&王东辉.(2010).基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器.微计算机应用,31(4). |
| MLA | 张建恩,et al."基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器".微计算机应用 31.4(2010). |
入库方式： OAI收割
来源：声学研究所
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