PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响(英文)
文献类型:期刊论文
作者 | 陈芳; 方铉; 王双鹏![]() |
刊名 | 红外与激光工程
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出版日期 | 2016-04-25 |
期号 | 4页码:219-222 |
关键词 | 氮化铝 等离子增强原子层沉积 生长速率 结晶化 表面粗糙度 沉积温度 |
中文摘要 | 研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的Al N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的Al N层,并讨论了Al N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明,在300~370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小。 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57700] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈芳,方铉,王双鹏,等. PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响(英文)[J]. 红外与激光工程,2016(4):219-222. |
APA | 陈芳.,方铉.,王双鹏.,牛守柱.,方芳.,...&魏志鹏.(2016).PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响(英文).红外与激光工程(4),219-222. |
MLA | 陈芳,et al."PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响(英文)".红外与激光工程 .4(2016):219-222. |
入库方式: OAI收割
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