基质晶体的真空紫外光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 洪广言 ; 曾小青 ; 尤洪鹏 ; 吴雪艳 |
| 刊名 | 硅酸盐学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 32期号:3页码:233-238 |
| 关键词 | 基质晶体 真空紫外光谱 基质吸收带 激发光谱 |
| ISSN号 | 0454-5648 |
| 通讯作者 | 洪广言 |
| 中文摘要 | 初步总结了基质晶体中吸收带位置的规律 ,即氧化物 (CaO∶Eu ,Y2 O3∶Eu ,≈ 2 0 0nm) >多铝酸盐 (BaMgAl1 0 O1 7∶Eu ,≈ 175nm)≥硅酸盐 (Ca2 SiO4 ∶Tb ,160～ 170nm) >硼酸盐 [(Y ,Gd)BO3∶Eu ,15 0～ 160nm]≥钒酸盐 (YVO4 ∶Eu ,≈ 15 5nm)≈正磷酸盐 [(La,Gd)PO4 ∶Eu ,≈ 15 5nm] >五磷酸盐 (TbP5O1 4∶Eu ,≈ 13 5nm) >二磷酸盐 [Sr3(PO4 ) 2 ∶Eu或K3Tb(PO4 ) 2 ∶Eu ,≈ 12 5nm] >氟化物 (LaF3∶Eu或LiYF4 ∶Eu ,≈ 12 0nm)。基质吸收带的位置主要取决于基质的阴离子、阴离子基团 ,以及基质的组成、结构和键能 ,也受基质中阳离子的影响。这一初步规律将有助于人们寻找优质的新型紫外晶体和新型等离子体平板显示器件用的荧光粉。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-08-17 ; 2011-06-09 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/15071]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 洪广言,曾小青,尤洪鹏,等. 基质晶体的真空紫外光谱研究[J]. 硅酸盐学报,2004,32(3):233-238. |
| APA | 洪广言,曾小青,尤洪鹏,&吴雪艳.(2004).基质晶体的真空紫外光谱研究.硅酸盐学报,32(3),233-238. |
| MLA | 洪广言,et al."基质晶体的真空紫外光谱研究".硅酸盐学报 32.3(2004):233-238. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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