有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 袁剑峰 ; 闫东航 ; 许武 |
| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 19期号:1页码:14-18 |
| 关键词 | 有机薄膜晶体管 有源层 厚度 |
| ISSN号 | 1007-2780 |
| 通讯作者 | 闫东航 |
| 中文摘要 | 研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电阻,从而不利于器件性能的提高。但当有源层厚度小于20nm以后器件的性能开始降低。我们认为当有源层厚度降低到一定程度时,有源层上表面的表面态会使有机材料的隙态浓度增加从而对沟道载流子迁移率产生不良影响以及使器件的阈值电压增大。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-08-17 ; 2011-06-09 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/15435]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁剑峰,闫东航,许武. 有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响[J]. 液晶与显示,2004,19(1):14-18. |
| APA | 袁剑峰,闫东航,&许武.(2004).有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响.液晶与显示,19(1),14-18. |
| MLA | 袁剑峰,et al."有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响".液晶与显示 19.1(2004):14-18. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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