偏硅酸镉的自激活发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 雷炳富 ; 刘应亮 ; 华瑞年 ; 石春山 |
| 刊名 | 分子科学学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 20期号:1页码:57-59 |
| 关键词 | 偏硅酸镉 自激活发光 热释光 |
| ISSN号 | 1000-9035 |
| 通讯作者 | 石春山 |
| 中文摘要 | 利用高温固相法合成了一种具有自激活发光行为的CdSiO3基质.对样品进行了X射线衍射分析和光谱分析.光谱分析结果表明,在偏硅酸镉的发射光谱中存在三个自激活发光峰,它们分别位于380,467和560nm处,另外,通过热释光谱技术讨论了偏硅酸镉中的缺陷及相关机理.在热释光谱中有两个明显的热释峰,分别位于448和563K,它们的陷阱深度分别为0 58和0 61eV,表明了在偏硅酸镉中存在着不同的陷阱,这些陷阱的存在导致了偏硅酸镉的自激活发光. |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-08-17 ; 2011-06-09 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/15523]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷炳富,刘应亮,华瑞年,等. 偏硅酸镉的自激活发光[J]. 分子科学学报,2004,20(1):57-59. |
| APA | 雷炳富,刘应亮,华瑞年,&石春山.(2004).偏硅酸镉的自激活发光.分子科学学报,20(1),57-59. |
| MLA | 雷炳富,et al."偏硅酸镉的自激活发光".分子科学学报 20.1(2004):57-59. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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