一种直径为纳米级的碳化硅晶须的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 刘朗 ; 李轩科 ; 沈士德 ; 凌立成 |
| 发表日期 | 2003 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 1112466 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 |
| 中文摘要 | 一种纳米碳化硅晶须的制备方法，将净碳质溶胶和净硅溶胶按碳和硅摩尔比(3-8):1于室温下搅拌混合24小时，制得二元净炭质－硅溶胶；在100-150℃干燥4-6小时得元干凝胶，或进行超临界干燥20-180分钟，得到二元气凝胶，然后进行碳热还原反应，最后脱碳，脱去SiO2，制得纯纳米碳化硅晶须。该方法晶须转化率高，该碳化硅晶须具有高熔量、高强度、高模量，热膨胀率低及耐腐蚀、耐磨等优良特性。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-03-29 ; 2011-06-09 |
| 申请日期 | 1999 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 99110846 |
| 专利代理 | 山西五维专利事务所（有限公司） |
| 源URL | [http://ir.sxicc.ac.cn/handle/0/2927]  |
| 专题 | 山西煤炭化学研究所_山西煤化所科技产出_山西煤化所科技产出_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘朗,李轩科,沈士德,等. 一种直径为纳米级的碳化硅晶须的制备方法, 一种直径为纳米级的碳化硅晶须的制备方法, 一种直径为纳米级的碳化硅晶须的制备方法, 一种直径为纳米级的碳化硅晶须的制备方法. 1112466. 2003-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：山西煤炭化学研究所
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