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Tb~(3+)离子4f~75d组态能级的电子云扩大效应

文献类型:期刊论文

作者师进生 ; 曲郸 ; 张思远
刊名高等学校化学学报
出版日期2006
卷号27期号:7页码:1303-1306
关键词Tb3+离子 电子云扩大效应 化学键 共价性
ISSN号0251-0790
通讯作者师进生
中文摘要研究了电子云扩大效应对Tb3+离子5d能级的影响.利用光谱理论,将电子云扩大效应比率β同Tb3+离子4f75d组态的自旋允许和禁阻跃迁能级的能级差联系起来,通过复杂晶体化学键理论确定了化学键的共价性、相应键体积极化率以及配体离子的有效电荷与β的线性关系,同时得到了对β有影响并与Tb3+离子自身相关的因子.
收录类别SCI
语种中文
公开日期2010-08-17 ; 2011-06-09
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/16847]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
师进生,曲郸,张思远. Tb~(3+)离子4f~75d组态能级的电子云扩大效应[J]. 高等学校化学学报,2006,27(7):1303-1306.
APA 师进生,曲郸,&张思远.(2006).Tb~(3+)离子4f~75d组态能级的电子云扩大效应.高等学校化学学报,27(7),1303-1306.
MLA 师进生,et al."Tb~(3+)离子4f~75d组态能级的电子云扩大效应".高等学校化学学报 27.7(2006):1303-1306.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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