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一代树状碳硅烷液晶研究──端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元

文献类型:期刊论文

作者张其震 ; 刘建强 ; 殷晓颖 ; 张静智 ; 赵晓光 ; 李光 ; 季怡萍
刊名化学学报
出版日期2002
卷号60期号:12页码:2232-2237
关键词树状化合物 液晶 向列相 高强向错 碳硅烷
ISSN号0567-7351
通讯作者张其震
中文摘要用发散法合成周边含 12个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5 )端基新的一代树状碳硅烷(D1).并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征.D1为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1相行为:K82N13 3I13 2N67K,D1熔点比M5降低 3 0~ 43℃,D1清亮点比M5增加 9~ 11℃,D1介晶相区比M5加宽 3 9~ 5 4℃,观察到 8条黑刷的树状物的高强向错(S =+ 2),D1清亮焓值略低于通常液晶n i相变清亮焓值,原因是枝化的树状物核心不易完全变形为液晶态的各向异性结构
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2010-11-03 ; 2011-06-09
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/19311]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
张其震,刘建强,殷晓颖,等. 一代树状碳硅烷液晶研究──端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元[J]. 化学学报,2002,60(12):2232-2237.
APA 张其震.,刘建强.,殷晓颖.,张静智.,赵晓光.,...&季怡萍.(2002).一代树状碳硅烷液晶研究──端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元.化学学报,60(12),2232-2237.
MLA 张其震,et al."一代树状碳硅烷液晶研究──端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元".化学学报 60.12(2002):2232-2237.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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