高真空强静电场下等规聚丙稀薄膜微晶生长形态研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 肖学山 ; 董远达 ; 乔秀颖 ; 莫志深 ; 王庆 ; 王献红 ; 徐晖 |
| 刊名 | 上海大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:5页码:468-470 |
| 关键词 | 静电场 等规聚丙稀薄膜 球晶 树枝晶 |
| ISSN号 | 1007-2861 |
| 中文摘要 | 使用ＳＥＭ研究了在高真空强静电场下等规聚丙烯薄膜微晶生长的形态．实验发现，在高真空强静电场下，等规聚丙稀薄膜微晶沿静电场方向生长成树枝状，而未经静电场处理的薄膜，其微晶向四月均衡生长成树枝形球晶，无取向. |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-04 ; 2011-06-09 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/20327]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖学山,董远达,乔秀颖,等. 高真空强静电场下等规聚丙稀薄膜微晶生长形态研究[J]. 上海大学学报(自然科学版),2000,6(5):468-470. |
| APA | 肖学山.,董远达.,乔秀颖.,莫志深.,王庆.,...&徐晖.(2000).高真空强静电场下等规聚丙稀薄膜微晶生长形态研究.上海大学学报(自然科学版),6(5),468-470. |
| MLA | 肖学山,et al."高真空强静电场下等规聚丙稀薄膜微晶生长形态研究".上海大学学报(自然科学版) 6.5(2000):468-470. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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