恒电位电解法掺稀土对多孔硅光致发光性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 石建新 ; 张晓霞 ; 田峻 ; 张洪杰 ; 曾春莲 ; 龚孟濂 |
| 刊名 | 中国稀土学会第四届学术年会论文集
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| 出版日期 | 2000 |
| 页码 | 451-456 |
| 关键词 | 稀土 多孔硅 光致发光 表面态 量子限制效应 |
| 中文摘要 | 研究了恒电位电解法掺稀土(Er、Nd与Yb)对多孔硅(PS)室温可见区光致发光性能的影响。结果表明:适当高浓度稀土的掺入可以提高PS的发光强度、使PS发光波长蓝移;掺入稀土浓度过高对PS的发光起猝灭作用。掺稀土可以缩短PS发光衰减的平均寿命,而不影响衰减曲线的形状。提出用“表面态辅助的量子限制效应”观点来解释PS和掺稀土多孔硅的光致发光。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-04 ; 2011-06-09 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/20377]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石建新,张晓霞,田峻,等. 恒电位电解法掺稀土对多孔硅光致发光性能的影响[J]. 中国稀土学会第四届学术年会论文集,2000:451-456. |
| APA | 石建新,张晓霞,田峻,张洪杰,曾春莲,&龚孟濂.(2000).恒电位电解法掺稀土对多孔硅光致发光性能的影响.中国稀土学会第四届学术年会论文集,451-456. |
| MLA | 石建新,et al."恒电位电解法掺稀土对多孔硅光致发光性能的影响".中国稀土学会第四届学术年会论文集 (2000):451-456. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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