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TiAl反常屈服行为的电子理论

文献类型:期刊论文

作者李文 ; 孔晓华
刊名有色金属
出版日期1999
卷号51期号:4页码:63-67
关键词TiAl 反常屈服行为 价电子结构 位错钉扎
ISSN号1001-0211
中文摘要根据固体与分子经验电子理论(EET)在价电子结构层次系统地研究了TiAl的反常屈服行为(AYB)。由TiAl的价电子结构、键能和三种平面缺陷的能量联系TiAl的AYB的激活能分析了其位错钉扎机制。由于TiAl的反相畴界能量远大于简单层错的,TiAl的AYB是三种主位错交互作用引起的,同时孪生交割钉扎机制也有很大作用。也计算了温度升高直接导致的价电子结构变化,表明TiAl的AYB的本质原因是温度影响键结构导致的强化与弱化综合作用的结果,而短程有序度下降导致的“无序畴”形成起主要强化作用。最后对TiAl的AYB微观本质在不同层次做全面总结,并给出其他金属间化合物温度效应的一般规律.
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2010-11-04 ; 2011-06-09
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/22501]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李文,孔晓华. TiAl反常屈服行为的电子理论[J]. 有色金属,1999,51(4):63-67.
APA 李文,&孔晓华.(1999).TiAl反常屈服行为的电子理论.有色金属,51(4),63-67.
MLA 李文,et al."TiAl反常屈服行为的电子理论".有色金属 51.4(1999):63-67.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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