LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孟庆波 ; 武志坚 ; 张思远 |
| 刊名 | 高等学校化学学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:3页码:429-432 |
| 关键词 | 能带结构 化学键性质 氮化镧系列晶体 |
| ISSN号 | 0251-0790 |
| 通讯作者 | 张思远 |
| 中文摘要 | 用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带程序计算了ＬａＸ（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）晶体的能带结构，得到的晶体能隙分别为ＬａＮ２．３０ｅＶ，ＬａＰ２．０５ｅＶ，ＬａＡｓ１．６６ｅＶ，ＬａＳｂ１．３４ｅＶ，与实验结果基本相符．利用价电子总数在阴阳离子上的分配数之比，给出计算晶体化学键性质的经验关系式，根据该式计算晶体化学键的共价性与文献结果非常吻合，说明了该关系式的合理性 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-04 ; 2011-06-09 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/23257]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孟庆波,武志坚,张思远. LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究[J]. 高等学校化学学报,1998,19(3):429-432. |
| APA | 孟庆波,武志坚,&张思远.(1998).LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究.高等学校化学学报,19(3),429-432. |
| MLA | 孟庆波,et al."LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究".高等学校化学学报 19.3(1998):429-432. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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