杂质分布对多晶硅薄膜电性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王岚 ; 刘雅言 |
| 刊名 | 真空科学与技术
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 18期号:3页码:216-219 |
| 关键词 | 多晶硅薄膜 杂质分布 剖面分析 电阻率 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | 报道了多晶硅薄膜的制备方法及光生截流子在多晶硅晶界区域的收集、复合情况，并采用剖面分析方法研究了杂质的分布对多晶硅薄膜太阳电池电性能的影响。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-04 ; 2011-06-09 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/23643]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王岚,刘雅言. 杂质分布对多晶硅薄膜电性能的影响[J]. 真空科学与技术,1998,18(3):216-219. |
| APA | 王岚,&刘雅言.(1998).杂质分布对多晶硅薄膜电性能的影响.真空科学与技术,18(3),216-219. |
| MLA | 王岚,et al."杂质分布对多晶硅薄膜电性能的影响".真空科学与技术 18.3(1998):216-219. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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