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掺铈铌酸锂晶体的光电子能谱研究

文献类型:期刊论文

作者洪广言 ; 张瑞峰 ; 洪元佳 ; 姚兰芳 ; 刘景和
刊名人工晶体学报
出版日期1997
卷号26期号:3-4页码:365-365
关键词掺铈铌酸锂晶体 引上法 光折变晶体 掺铈浓度
ISSN号1000-985X
中文摘要光折变晶体作为一种新型的光学材料在全息存储、信息处理、光计算等领域具有重要的应用前景。在LiNbO3(简称LN)中掺杂CeO2或Fe2O3将能大幅度提高光折变灵敏度,且掺CeO2的Ce:LN光折变灵敏度优于掺Fe2O3的Fe:LN。对Ce:LN的许多性质人们已作了报导,本文用光电子能谱研究Ce:LN晶体中铈的价态,并提出铈离子的价态对光折变的影响。Ce:LN晶体采用提拉法生长。所得晶体经退火与极化,为提高Ce3+/Ce4+的比例,将Ce:LN晶片埋在Li2CO3粉中,升温到500℃,恒温一天,晶片由无色变
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2010-12-22 ; 2011-06-09
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/24825]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
洪广言,张瑞峰,洪元佳,等. 掺铈铌酸锂晶体的光电子能谱研究[J]. 人工晶体学报,1997,26(3-4):365-365.
APA 洪广言,张瑞峰,洪元佳,姚兰芳,&刘景和.(1997).掺铈铌酸锂晶体的光电子能谱研究.人工晶体学报,26(3-4),365-365.
MLA 洪广言,et al."掺铈铌酸锂晶体的光电子能谱研究".人工晶体学报 26.3-4(1997):365-365.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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