Cd_2SnO_4等四种半导体薄膜制备及性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王岚 ; 鲍崇林 ; 李春鸿 ; 王给祥 |
| 刊名 | 真空科学与技术
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 17期号:1页码:56-60 |
| 关键词 | 半导体薄膜 光电性能 溅射 二氧化锡化合物 喷涂热解法 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | 采用喷涂热解法制备了以Cd2SnO4为代表的四种半导体薄膜，即Cd2SDO4，In2SnO5，TiSnO4及Zn2SnO4。测试了薄膜的半导体、光学和电学性能，得到了In2SnO5，Cd2SpO4薄膜电阻率的范围在10（－3）Ω·cm和高的透射比（可见光）；TiSnO4薄膜高的反射比（红外光）；同时，比较溅射法对结果进行了讨论。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-12-22 ; 2011-06-09 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/24961]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王岚,鲍崇林,李春鸿,等. Cd_2SnO_4等四种半导体薄膜制备及性能研究[J]. 真空科学与技术,1997,17(1):56-60. |
| APA | 王岚,鲍崇林,李春鸿,&王给祥.(1997).Cd_2SnO_4等四种半导体薄膜制备及性能研究.真空科学与技术,17(1),56-60. |
| MLA | 王岚,et al."Cd_2SnO_4等四种半导体薄膜制备及性能研究".真空科学与技术 17.1(1997):56-60. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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