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Li_8SiN_4-Li_3N-BN体系中立方BN转化行为的研究

文献类型:期刊论文

作者马贤锋 ; 阎学伟 ; 周艳平 ; 崔硕景
刊名中国科学(B辑 化学)
出版日期1996
卷号26期号:5页码:427-432
关键词高温高压 Li_8SiN_4-Li_3N-BN 立方氮化硼 晶体发育 转化区 转化规律
ISSN号1006-9240
中文摘要研究了高温高压下x·Li_8SiN_4-0.1(1-x)·Li_3N-0.9(1-x)·BN体系中立方氮化硼(cBN)的转化行为。Li_8SiN_4的存在可显著改善cBN晶体的发育,提高晶体质量。在4.2~5.5GPa,1340~1750℃范围内确定了x=4.8%时体系的cBN转化区,并对转化区内cBN转化率、平均生长速度、成核速度及破碎强度与转化温度和压力的关系进行了研究。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2010-12-22 ; 2011-06-10
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/25989]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
马贤锋,阎学伟,周艳平,等. Li_8SiN_4-Li_3N-BN体系中立方BN转化行为的研究[J]. 中国科学(B辑 化学),1996,26(5):427-432.
APA 马贤锋,阎学伟,周艳平,&崔硕景.(1996).Li_8SiN_4-Li_3N-BN体系中立方BN转化行为的研究.中国科学(B辑 化学),26(5),427-432.
MLA 马贤锋,et al."Li_8SiN_4-Li_3N-BN体系中立方BN转化行为的研究".中国科学(B辑 化学) 26.5(1996):427-432.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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