硅在cBN单晶合成中的行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周艳平，阎学伟，赵廷河，马贤锋 |
| 刊名 | 高压物理学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 9期号:3页码:176-182 |
| 关键词 | cBN合成 复合氮化物 表面形态 |
| ISSN号 | 1000-5773 |
| 中文摘要 | 实验制备了复合氮化物Ｌｉ＿８ＳｉＮ＿４，并对合成温度、合成时间、气流量等因素的影响以及产物的稳定性进行了讨论。研究了Ｌｉ＿８ＳｉＮ＿４作为触媒添加剂时硅在ｃＢＮ单晶合成中的作用。结果表明：ｃＢＮ晶体多为截角八面体，晶面致密光滑；硅参与ｃＢＮ的合成反应，并以ＳｉＯ＿２的形式沉积在ｃＢＮ表面。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-12-30 ; 2011-06-10 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/27033]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周艳平，阎学伟，赵廷河，马贤锋. 硅在cBN单晶合成中的行为[J]. 高压物理学报,1995,9(3):176-182. |
| APA | 周艳平，阎学伟，赵廷河，马贤锋.(1995).硅在cBN单晶合成中的行为.高压物理学报,9(3),176-182. |
| MLA | 周艳平，阎学伟，赵廷河，马贤锋."硅在cBN单晶合成中的行为".高压物理学报 9.3(1995):176-182. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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