高温高压下立方氮化硼晶体的生长机制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周艳平，闫学伟，马贤峰，赵廷河 |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 10期号:4页码:391-398 |
| 关键词 | 高温高压 cBN 位错生长机制 表面构造 相变 |
| ISSN号 | 1000-324X |
| 中文摘要 | 在４．５～５．０ＧＰａ，１５００～１８００℃范围内，对在Ｌｉ基复合氮化物或氮硼化物的催化体系中以及其中添加Ｌｉ８ＳｉＮ４后合成ｃＢＮ进行了研究，探讨了ｃＢＮ晶体的表面构造和生长机制，研究了由六方氨化硼向立方氮化硼转变过程中硅的存在行为．本实验中合成的立方氮化硼为具有光泽的棕色透明单晶． |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-12-30 ; 2011-06-10 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/27179]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周艳平，闫学伟，马贤峰，赵廷河. 高温高压下立方氮化硼晶体的生长机制[J]. 无机材料学报,1995,10(4):391-398. |
| APA | 周艳平，闫学伟，马贤峰，赵廷河.(1995).高温高压下立方氮化硼晶体的生长机制.无机材料学报,10(4),391-398. |
| MLA | 周艳平，闫学伟，马贤峰，赵廷河."高温高压下立方氮化硼晶体的生长机制".无机材料学报 10.4(1995):391-398. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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