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神经递质多巴胺在AQ修饰组合微电极上的伏安行为及其伏安溶出法测定

文献类型:期刊论文

作者田敏 ; 董绍俊
刊名分析化学
出版日期1994
卷号22期号:1页码:15-18
关键词修饰电极 组合微电极 聚合物AQ 溶出伏安法
ISSN号0253-3820
通讯作者董绍俊
中文摘要本文研究了神经递质多巴胺(DA)在AQ聚合物薄膜修饰组合微盘电极上的电化学行为。结果表明,在pH7.0的磷酸缓冲溶液中,修饰组合微盘电极经电化学处理后,DA的氧化还原峰电位差较小(约为80mV),氧化峰、还原峰的峰形比较对称。在选定条件下,DA的伏安溶出峰电流与浓度在1.0×10~(-6)~8.0×10~(-6)mol/L范围内呈线性关系。厚的AQ膜修饰组合微电极可基本上消除抗坏血酸的干扰。利用AQ膜修饰的微盘电极测定DA和肾上腺素(E)在膜中的扩散系数,分别为4.1X10~(-8)cm~2/s和2.4×10~(-8)cm~2/s。
收录类别SCI收录期刊论文
语种中文
公开日期2010-12-30 ; 2011-06-10
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/27899]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
田敏,董绍俊. 神经递质多巴胺在AQ修饰组合微电极上的伏安行为及其伏安溶出法测定[J]. 分析化学,1994,22(1):15-18.
APA 田敏,&董绍俊.(1994).神经递质多巴胺在AQ修饰组合微电极上的伏安行为及其伏安溶出法测定.分析化学,22(1),15-18.
MLA 田敏,et al."神经递质多巴胺在AQ修饰组合微电极上的伏安行为及其伏安溶出法测定".分析化学 22.1(1994):15-18.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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